A cerámica de carburo de silicio (sic) ten excelentes propiedades como unha forte resistencia á oxidación, boa resistencia ao desgaste, alta dureza, boa estabilidade térmica, alta resistencia á temperatura, pequeno coeficiente de expansión térmica, alta condutividade térmica, resistencia térmica e resistencia química, {0}, polo tanto, o seu número de resistencia química, núcleo, núcleo, núcleo, núcleo. Enerxía, etc ., e a xente prestou cada vez máis atención por xente ., por exemplo, a cerámica sic pódese usar como unha variedade de rodamentos, bolas, boquillas, selos, ferramentas de corte, láminas de turbinas de gas, rotores de turbocharger, roturas reflectores e roturas de foguete, entre outros .}}}}}.}}.} {3}.
As excelentes propiedades da cerámica sic están estreitamente relacionadas coa súa estrutura única . sic é un composto con enlaces covalentes fortes, e a ionicidade dos enlaces Si-c en sic só é aproximadamente un 12%., polo tanto, o sic ten unha alta forza, non se pode atacar, como un módulo de ácido, como o hcLe, como o sic, o sic, o sic, o sic, o sic, o sic, non ten un gran alcance. HNO3, H2SO4 e HF, e solucións alcalinas como NaOH . É fácil oxidarse cando se quenta no aire, pero o SIO2 formado na superficie durante a oxidación inhibirá a difusión máis de oxíxeno, polo que a taxa de oxidación non é alta, e a introdución de oxíxeno, o sicidante é o sisison, o sisis de oxidación, o sisis de oxidación, o sisis, o sisis é o sisisico, o sisis de sisis, o sisis é o sisis que é o sisisico. As impurezas amosarán unha boa condutividade . Ademais, SIC ten unha excelente condutividade térmica .
SIC ten dúas formas de cristal, e . A estrutura de cristal de -Sic é cúbica, e Si e C forman respectivamente un enreixado cúbico centrado na cara; -SiC has more than 100 polytypes such as 4H, 15R, and 6H, among which the 6H polytype is used in industrial applications. The most common one. There is a certain thermal stability relationship among the various types of SiC. When the temperature is lower than 1600℃, SiC exists in the form of -SIC . Cando a temperatura é superior a 1600 graos, -SIC transfórmase lentamente en varios polipos de -sic . 4 h -sic é fácil de formar ao redor de 2000 graos; Os polipos 15R e 6H son fáciles de formar a unha temperatura alta por encima dos 2100 graos; Para 6H-SIC, aínda que a temperatura supere os 2200 graos, é moi estable . A diferenza de enerxía libre entre varios polipos en sic é moi pequena {. Polo tanto, a solución sólida de impurezas de trazado tamén pode causar cambios na relación de estabilidade térmica entre politipes .}}}
